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Nexperia（安世半导体）不断增强器件中关键MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的性能，满足特定应用的要求，以打造领先的ASFET（ASFET是专门为用于某一应用而设计并优化的MOSFET）。自ASFET推出以来，针对电池隔离（BMS）、直流电机控制、以太网供电（POE）和汽车安全气囊等应用的产品优化升级取得成功。浪涌电流给热插拔应用带来了可靠性挑战，Nexperia（安世半导体）专门针对此类应用进行全面升级，设计了适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，并增强了SOA性能。与之前的技术相比，PSMNR67-30YLEASFET的SOA(12V@100mS)性能提高到了2.2倍，同时RDS(on)（最大值）低至0.7mΩ。与未优化器件相比，新款器件不仅消除了Spirito效应（表示为SOA曲线的更高压区域中更为陡峭的斜向下曲线），还同时保持了整个电压和温度范围内的出色性能。Nexperia（安世半导体）通过在125℃下对新款器件进行完全表征，并提供高温下的SOA数据曲线，消除了热降额设计的必要性，从而为设计人员提供进一步支持。亚汇网获悉，8款新产品（3款25V和5款30V）现已可选择LFPAK56或LFPAK56E封装，其中RDS(on)范围为0.7m?到2m?，可适用于大多数热插拔和软启动应用。其他2款25V产品的RDS(on)更低，仅为0.5m?，预计将于未来几个月内发布。