Taiyo Nippon Sanso Corporation(TNSC)已在东京农业科技大学Yoshinao Kumagai实验室安装了其第一台Ga2O3 MOCVD系统。
β-氧化镓(β-Ga2O3)作为用于下一代功率（和节能）设备的半导体材料而备受关注。2020年10月，TNSC与东京农工大学开始联合研究MOCVD法生长β-Ga2O3薄膜，并于2021年3月宣布成功MOCVD生长β-Ga2O3。
TNSC新设计的Ga2O3 MOCVD系统(FR2000-OX)将使制造复杂的器件结构成为可能，并进一步促进这些材料的研发。目前的工艺能力是针对2英寸晶圆。