(资料图片仅供参考)
意法半导体官微宣布,已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件,先期推出的两款产品SGT120R65AL和SGT65R65AL现已上市,采用PowerFLAT 5x6 HV封装。在接下来的几个月里,意法半导体还将推出新款PowerGaN产品,即车规器件,以及更多的功率封装形式,包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。
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意法半导体官微宣布,已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件,先期推出的两款产品SGT120R65AL和SGT65R65AL现已上市,采用PowerFLAT 5x6 HV封装。在接下来的几个月里,意法半导体还将推出新款PowerGaN产品,即车规器件,以及更多的功率封装形式,包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。
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