CEA(法国新能源和原子能委员会)、Soitec、格芯和意法半导体日前宣布将在下一代FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）技术上展开合作。据报道，当前意法半导体可实现28nm FD-SOI量产，而格芯在德国德累斯顿拥有一家生产设施，采用22nm制程的22FDX工艺。FD-SOI在低功耗应用上具有显著优势，制造工艺也较FinFET简化。技术研究中心CEA-Leti认为，FD-SOI制程可以扩展到10nm以下。
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