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浙大杭州科创中心用新技术路线成功制备2英寸氧化镓晶圆2022-05-09 08:48:36 | 来源:CBC金属网 | 查看: | 评论:0

近日,记者从浙江大学杭州国际科创中心获悉,该中心先进半导体研究院用半年时间发明了研制氧化镓体块单晶以及晶圆的全新熔体法技术路线,目前已经成功制备直径2英寸(50.8毫米)的氧化镓晶圆。使用这种具有完全自主知识产权技术生长2英寸氧化镓晶圆,在国际尚属首次。

据悉,使用氧化镓制作的半导体器件可以实现更耐高压、更小体积、更低损耗,在新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域降低能源消耗方面前景无限。目前主流技术路线生长的氧化镓晶体成本较高,一定程度上影响了氧化镓材料在国内的大规模产业化。

标签: 技术路线 科创中心 先进半导体

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